【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2023.04.24】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22SH0030
利用課題名 / Title
原料の異なるSiCバルク体の不純物の比較
利用した実施機関 / Support Institute
信州大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）物質・材料合成プロセス/Molecule & Material Synthesis（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
電子顕微鏡/Electron microscopy,走査プローブ顕微鏡/Scanning probe microscopy,高品質プロセス材料
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
深石 翔太
所属名 / Affiliation
アスザック株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
半導体製造工程で使用される炭化ケイ素（SiC）は、より高純度で金属不純物が少ないものが求められている。そのため、SiCに含まれる金属不純物とその分布状態を把握することは非常に重要である。本研究は、原料や製造工程の異なるSiC中の金属元素とその分布状態の差異を明らかにした。
実験 / Experimental
原料や製造工程の異なる２種類のSiC（SiC_A、SiC_B）の断面を、電界放出形電子線プローブマイクロアナライザー装置（FE-EPMA）にて定性分析を行った。
両者に検出されたSi、C、 Tiについては、FE-EPMAによる元素マッピングによりそれら元素の分布状態を比較した。
結果と考察 / Results and Discussion
SiC_AとSiC_BのFE-EPMAによるSi、C、Tiのマッピングをそれぞれ図1、2に示す。
SiC_Aは、主成分であるSiとC以外の箇所で2~3μm程度のTiが検出された。一方、SiC_BではCと同一箇所で1μm程度のTiが検出された。
これらの結果より、両者はTiの分布状態に大きな差異があり、SiC_A中のTiは単体で存在しているが、SiC_B中のTiはCとの化合物として存在していることが示唆された。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図１ SiC_Aの組成マッピング
図２ SiC_Bの組成マッピング
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
マテリアル先端リサーチインフラの機器利用にあたって、ご指導頂きました小畑美智子研究員に感謝申し上げます。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件