【公開日：2023.08.01】【最終更新日：2023.04.14】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
22SH0024
利用課題名 / Title
セラミックス抵抗の電気的特性に関する研究
利用した実施機関 / Support Institute
信州大学 / Shinshu Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）物質・材料合成プロセス/Molecule & Material Synthesis（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
電子分光,セラミックスデバイス
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
伊藤 千佳
所属名 / Affiliation
KOA株式会社 コア技術研究グループ
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）共同研究/Joint Research（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
SnO2にSb2O3を添加したセラミックス材料において、Sb2O3の添加効果を把握するため、XPS装置を用いて分析を実施した。
また、低密度であるSnO2とSb2O3の混合体の密度向上および電気伝導性向上のため、さらにZnOを添加し、（Sn,Sb)O2粒子に対するZnOの影響を調査した。
実験 / Experimental
SnO2にSb2O3およびZnOを添加した粉末材料を一軸プレスにより成形、焼成し、ペレットを得た。
サンプルは、Sb2O3添加量、焼成温度、ZnO添加有無（Zn添加量は一定）を水準とし、計8サンプルとした。
測定は最表面と、深さ10nm、20nmの3か所において測定を実施した。
結果と考察 / Results and Discussion
いずれの条件（焼成温度、Sb2O3添加量、Zn添加有無）においても、Sb3d5/2ピーク位置に差はみられず、同じ傾向を示した。（表1）
しかしながら、最表面と内部のピーク位置に違いがあることがわかった。最表面はSb2O5、内部はSb2O3である可能性が高いと考えられる。
また、最表面と内部でSbの存在確率が異なることがわかった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1 標準サンプル測定結果
表2 実験サンプル測定結果（486.74eVで補正）
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件