利用報告書 / User's Reports


【公開日:2023.08.01】【最終更新日:2023.05.26】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22KU0045

利用課題名 / Title

半導体等無機材料の高空間分解能STEM-EDX解析

利用した実施機関 / Support Institute

九州大学 / Kyushu Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)計測・分析/Advanced Characterization(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed(副 / Sub)量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions

キーワード / Keywords

電子顕微鏡/Electron microscopy,イオンミリング/Ion milling,電子回折/Electron diffraction,量子効果デバイス/ Quantum effect device,量子効果/ Quantum effect


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

永富 隆清

所属名 / Affiliation

旭化成株式会社 基盤技術研究所

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

平田 祐也

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

中尾 辰也,工藤 昌輝

利用形態 / Support Type

(主 / Main)技術補助/Technical Assistance(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

KU-016:低温域観測型・高分解能電子顕微鏡
KU-014:Arイオン研磨装置群


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

 半導体デバイスや無機材料の特性を理解して性能を向上させるためには,原子レベルでの構造解析と元素分析が必須である.そこで本課題では,化合物半導体多層膜界面や結晶性無機材料について,走査型透過電子顕微鏡による高空間分解能解析を行う.

実験 / Experimental

 1日目は,FischeOne社製のNanoMillの装置教育を受講し,持参したTEMラメラに対して低ダメージ加工を実施した.2日目は,利用者の立ち会いと指示のもと, JEOL社製のGrandArm2による,計4試料のSTEM観察及びSTEM-EDX分析を実施した.

結果と考察 / Results and Discussion

 NanoMillによる低加速Ar加工を実施したTEMラメラで結晶性無機材料の構造と元素分布を低ダメージで取得することができた.また,半導体多層膜界面の原子レベルでの構造と元素組成分布,膜特性の相関を確認した.

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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