利用報告書 / User's Report

【公開日:2024.07.25】【最終更新日:2024.06.28】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23TU0099

利用課題名 / Title

単原子長ゲートによる低環境負荷物質から成る高出力THz帯増幅器の創出/Device development for monoatomic length gate

利用した実施機関 / Support Institute

東北大学

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用(ARIM事業参画者以外)/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials(副 / Sub)革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion

キーワード / Keywords

SiC,グラフェン,THz帯動作,MIMOアンテナ,膜加工・エッチング/ Film processing/etching,原子層薄膜/ Atomic layer thin film,ナノカーボン/ Nano carbon,ナノ粒子/ Nanoparticles,ナノチューブ/ Nanotube,ナノシート/ Nanosheet,パワーエレクトロニクス/ Power electronics,環境発電/ Energy Harvesting


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

佐々木 文憲

所属名 / Affiliation

東北大学電気通信研究所

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

杉野透明

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

TU-206:アルバックICP-RIE#2


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

SiCウエハーからグラフェン生成しTHz帯動作のFETを作製する。この時にサンプル作製の途中プロセスにおいて(図1)、Grapheneと接する部分を垂直に加工する必要が有る。そこで、東北大学試作コインランドリの装置を用いて、エッチング加工を行なった

実験 / Experimental

フォトレジスト(AZ5214E+PMGI SF6、TSMR V90)を用いてフォトリソグラフィを行い、ICP-RIE装置でサンプルをエッチングした。エッチング条件は表1、表2の通りである。

結果と考察 / Results and Discussion

図2,図3、の通り、イメージリバーサル用レジストAZ5214E+PMGI SF6と直線性レジストTSMR-V90タイプでは垂直に加工(Etching)する事が出来なかった。
今後はレジストを新たに選定しフォトリソグラフィの最適条件を見つけ、エッチング形状の垂直化を狙う。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations


表1. ICP-RIEのエッチング条件(サンプル名;RG1)



表2. ICP-RIEのエッチング条件(サンプル名;CG2)



図1. 「単原子長ゲート」作製プロセス



図2. エッチング後のTEM写真(サンプル;RG1)



図3. エッチング後のTEM写真(サンプル;CG2)


その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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