【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.04.15】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23KT1251
利用課題名 / Title
強誘電体PZTカンチレバーの性能確認
利用した実施機関 / Support Institute
京都大学 / Kyoto Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
PZT,圧電,膜堆積,スパッタリング/ Sputtering
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
坂本 真弥
所属名 / Affiliation
I-PEX株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
山本善哉
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
諫早伸明
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術代行/Technology Substitution
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
PZTデバイス製作にあたりPZT成膜における基礎特性を確認する必要がある。本実験では京都大ナノテクノロジーハブ拠点で成膜したPZTの成膜レート及び膜厚分布について評価を行った
実験 / Experimental
下部電極成膜済みのウェハに対してKT-201：多元スパッタ装置を用いてPZT 2um厚の成膜を行った。ターゲットは京都大ナノテクノロジーハブ拠点の所有品を使用し、成膜は京都大ナノテクノロジーハブ拠点の標準レシピで行った。膜厚はXRFで面内10point測定した。
温度：635℃ Ar流量：190sccm O2流量：10sccm 電力：350W
プリスパッタ時間：5min
本スパッタ時間：6h56min
PZTターゲット：0.8[Pb (Zr0.53 Ti0.47) O3]+20mol%PbO
結果と考察 / Results and Discussion
図1にPZT成膜後のウェハ外観写真を示す。問題なくPZT成膜されていることが分かる。
図2にPZTウェハ面内の膜厚を示す。平均膜厚として1.76umであり、狙いの2umに概ね近い結果であった。
また、表1で示すように成膜レートは4.2nm/min、面内均一性はΦ130mm範囲で±0.4%、Φ140mm範囲で±1.6%とかなり良好な結果であった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1.PZT成膜後ウェハ
図2.PZT面内膜厚分布
表1.成膜レート及び面内均一性
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件