【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.04.11】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23KT1335

利用課題名 / Title

半導体製造工程用カチオン重合型フォトレジストの開発

利用した実施機関 / Support Institute

京都大学 / Kyoto Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

リソグラフィ, 露光・描画装置, 光酸発生剤,膜加工・エッチング/ Film processing/etching

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

北野 匡章

所属名 / Affiliation

サンアプロ株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

KT-332：触針式段差計（CR）
KT-210：ドライエッチング装置

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

半導体製造用工程では一般的にフォトレジストが用いられていて、半導体の微細化に伴い、よりエッチング耐性の高いレジストが求められている。当社ではカチオン重合に用いられる光酸発生剤を開発しており、本テーマでは当社製品のスチレンモノマー系カチオン重合型フォトレジスト材料の基礎的な性能を評価することを目的としている。具体的な研究内容としては、開発した樹脂のアッシング除去条件の検討を試みる。

実験 / Experimental

Siウェハ等の基板上に開発中の光酸発生剤を含むスチレンモノマー系カチオン重合型フォトレジスト材料を膜厚300 nmになるように塗布し、自社内にて光硬化を行った。得られた硬化膜サンプルに対し、京大ナノハブ拠点の「KT-210：ドライエッチング装置」を使用して、アッシング除去条件の検討を行った。アッシング後のサンプルは自社に持ち帰ってSEMで観察した。

結果と考察 / Results and Discussion

アッシング条件を検討した結果を表1に示す。Entry 1はレジスト残渣が確認された。Entry 3はレジスト残渣は見られなかったが、基板の表面荒れが確認された。検討の結果、Entry 2がレジストを完全に除去し、かつ基板表面荒れを起こさない最適なアッシング条件だと見出した。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

表1 アッシング条件とSEM観察結果

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：1件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件