利用報告書 / User's Report

【公開日:2023.08.01】【最終更新日:2023.05.16】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22JI0042

利用課題名 / Title

光触媒特性に関係する表面電位測定

利用した実施機関 / Support Institute

北陸先端科学技術大学院大学

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)計測・分析/Advanced Characterization(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed(副 / Sub)革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion

キーワード / Keywords

光触媒,電子分光,太陽電池


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

辛川 誠

所属名 / Affiliation

国立大学法人金沢大学ナノマテリアル研究所

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

江口敬太朗,村田英幸,臼田航志

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

村田英幸

利用形態 / Support Type

(主 / Main)技術補助/Technical Assistance(副 / Sub),機器利用/Equipment Utilization


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

JI-014:大気中光電子分光装置


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

本研究では種々の有機半導体薄膜を使った光触媒特性の評価および光触媒特性の鍵である薄膜表面の詳細な分析を行い、機構解明を目指す。

実験 / Experimental

有機ドナー材料とアクセプター材料の混合薄膜を作成、その上にZnPCを蒸着し素子とした。有機層の異なるそれぞれの素子で、表面電位を測定した。

結果と考察 / Results and Discussion

最表面にZnPc有りの素子では、すべて同じエネルギー準位となった。下地となる材料によって表面のイオン化ポテンシャルは影響を受けていないこと、最表面層は極薄膜であるが、電荷は表面で効果的に反応に使われていることが分かった。極薄膜では現実には膜として存在しておらず、アイランドを形成しているのが一般的である。アイランド以外は下地が最表面を形成することになり、表面反応もそこで生じる可能性があるが、今回の結果から、極めて薄いZnPc層が電荷の授受を効果的に担う場として機能していると言える。ZnPcが無い部分での表面反応がどうなるのかについては不明で、今後の課題となる。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)

本研究は金沢大学と北陸先端科学技術大学院大学による「融合科学共同専攻」における分野融合型研究の支援事業の支援をうけたものです。


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
  1. 臼田航志, 坂田和哉, 中野正浩, 長井圭治, 當摩哲也, 辛川誠, "光照射強度と有機半導体薄膜表面の酸化電位変化" 応用物理学会(仙台), 令和4年9月22日
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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