【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.06.25】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23RO0032
利用課題名 / Title
センサ用FETの研究開発
利用した実施機関 / Support Institute
広島大学 / Hiroshima Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
リソグラフィ,成膜,膜加工・エッチング,熱処理,ドーピング,センサ/ Sensor,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation,CVD,リソグラフィ/ Lithography,膜加工・エッチング/ Film processing/etching,光リソグラフィ/ Photolithgraphy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
塙 裕一郎
所属名 / Affiliation
日本特殊陶業株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
黒木 伸一郎,田部井 哲夫,山田 真司,岡田 和志,水野 恭司
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術相談/Technical Consultation（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
弊社では、電界効果トランジスタ(FET)式センサの研究開発を行っている。これに向けたFETを試作し、原理検証を行うため、広島大学の設備を利用することを想定し、FETの試作プロセスの相談を行った。
実験 / Experimental
マスクレス露光装置(ハイデルベルグ，MLA1５0)で露光、酸化炉（ｹﾞｰﾄ、Field、ﾎﾟﾘSi用）(東京エレクトロン，70MI-MINI)でゲート酸化膜やフィールド酸化膜を形成、高温イオン注入装置( アルバック，IMX-3500 )でチャネルストップ層の形成や不純物濃度調整、LPCVD装置(東京エレクトロン，Poly-Si用、SiN用)でPoly-Siゲート電極やSiNパッシベーション膜の形成を想定して、試作プロセスを検討した。
結果と考察 / Results and Discussion
一般的なMOSFETの作製プロセスをベースに、所望のゲート電極構造や、温度・湿度対策を盛り込み、狙いの仕様が得られるFET試作プロセスを構築することができた。ただし、一部の熱処理で条件が定まっていない部分があるため、条件を決める試験が必要である。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
技術相談にあたり、黒木教授、田部井特任准教授、山田教育研究推進員、岡田教育研究補助職員、水野研究員にご指導を賜り、感謝申し上げます。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件