【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.06.25】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23RO0014
利用課題名 / Title
スパッタリングによる強誘電体HfZrO2膜の作製
利用した実施機関 / Support Institute
広島大学 / Hiroshima Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）物質・材料合成プロセス/Molecule & Material Synthesis
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
熱処理,RTA
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
原 明人
所属名 / Affiliation
東北学院大学工学部 電気電子工学科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
水野 恭司
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
RO-222：Rapid Thermal Anneal装置（RTA）
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
Hf0.5Zr0.5O2のターゲットからスパッタリングにより非晶質Hf0.5Zr0.5O2を作成し、RTAにより結晶化の後、強誘電体薄膜を形成する。
実験 / Experimental
東北学院大学にて低抵抗SiウエハにTiN、引き続いてHf0.5Zr0.5O2を作成し、RTAにより結晶化する。その後、上部アルミ電極を形成しCV特性を測定する。
結果と考察 / Results and Discussion
リーク電流が大きく、CV測定により強誘電性が確認できない。図１はRTA（600℃）により形成したキャパシタのCV特性である。強誘電体が形成できているように見えるが、0（V）付近ではリーク電流が減るために容量が急激に大きくなっている。一方、550℃30分の炉熱処理では弱いながらも強誘電性が観測された。今回実験に用いたHfZrO2はスパッタリングで形成しており、膜内にアルゴン(Ar)を含んでいる。RTA中に膜外にArが逃げる際に、HfZrO2の結晶性を劣化させ、電流リークパスを形成している可能性がある。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件