【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.07.05】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23UE5308
利用課題名 / Title
電子スピン共鳴装置を利用した酸化膜中の欠陥評価
利用した実施機関 / Support Institute
電気通信大学 / UEC
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials
キーワード / Keywords
ESR,MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
松本 聡
所属名 / Affiliation
九州工業大学大学院工学研究院
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
北田昇雄,松橋千尋,飯田大智
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）,技術相談/Technical Consultation
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
比較的厚い酸化膜(0.5μm）にイオン注入を行った試料の欠陥評価を目的としてESRの測定を行った。
実験 / Experimental
4インチSi(100)基板に、0.5μmの酸化膜を熱酸化により形成し、裏面の酸化膜を除去したのちPを ドーズ量1e12 cm-2でイオン注入した。その後N2雰囲気、350℃、30分アニールした。
結果と考察 / Results and Discussion
酸化膜の欠陥に起因する特有な信号が得られなかった。Si(100)基板の抵抗率が1Ω・cmから10Ω・cmと比較的低いこと、基板厚が525μmと比較的厚いことに起因したと考えられる。
Fig.1に酸化膜の測定結果の例を示した。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1 酸化膜の測定結果の例
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
なし
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件