【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.04.15】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23KT1295
利用課題名 / Title
Cu表面の親水化
利用した実施機関 / Support Institute
京都大学 / Kyoto Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
めっき前処理,基板表面改質,親水化,膜加工・エッチング/ Film processing/etching
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
寺本 宗之助
所属名 / Affiliation
石原ケミカル株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
Cuめっき前の前処理としてアッシング処理による基板表面の改質を行い、親水化することでめっきの付き周りの変化を確認する。
実験 / Experimental
KT-210：ドライエッチング装置を用いて、様々な条件でアッシング処理を行い、最もめっきの付き周りの良い条件を検討した。
結果と考察 / Results and Discussion
ガス流量：20sccm、ガス圧力：10Pa、処理出力：100W、処理時間：80sが最もめっき付き周りがよかった。
ガス流量、処理時間を変化させてもめっきの付き周りにほとんど影響はなかった。ガス圧力、処理出力は増加させるとめっきの付き周りをよくすることができなかった。処理出力の増加に関しては表面外観が悪化し付き周りも悪化した。
処理出力の増加に伴い熱が発生することで下地のCu表面でアッシング後の大気化で酸化が促進したものと考えられる。ガス圧力の増加ではプラズマが基板表面に十分に届かなかったのではないかと考えられる。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件