【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.04.15】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23AT0240

利用課題名 / Title

ナノ構造を利用した光学素子の作製

利用した実施機関 / Support Institute

産業技術総合研究所 / AIST

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

光デバイス/ Optical Device,リソグラフィ/ Lithography

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

穂苅 遼平

所属名 / Affiliation

産業技術総合研究所

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

増田賢一

利用形態 / Support Type

（主 / Main）技術補助/Technical Assistance（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

AT-011：i線露光装置
AT-091：該当設備なし

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

波長852nmで反射一次光の効率が最大となる反射型回折格子を作製するため、数値計算・実験により設計したナノ構造のリソグラフィをi線露光装置を用いて、その露光条件や現像条件により形状寸法を制御しパターニングを行った。

実験 / Experimental

自動塗布現像装置により、4インチSiウエハ上にフォトレジストを塗布し、i線露光装置により露光し、自動塗布現像装置により現像することで、回折格子パターンを形成した。露光量は重要なパラメータであるため、変化させて行なった。現像は60 sec行った。形成したレジストパターンをマスクとして、ドライエッチングによりSiをエッチングした。レジスト除去後、Au膜を堆積した。

結果と考察 / Results and Discussion

i線露光装置で重要なパラメータである露光量を100 mJから150 mJまで10 mJ刻みで変えて露光した。その結果、120 mJで露光したサンプルで作製したナノ構造の径は約850 nmであり、設計値に近く面内均一性の良い回折格子構造が作製できた。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件