【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.04.01】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23OS1086
利用課題名 / Title
EUVレジスト高感度化技術の開発
利用した実施機関 / Support Institute
大阪大学 / Osaka Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials
キーワード / Keywords
リソグラフィ/Lithography
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
古澤 孝弘
所属名 / Affiliation
大阪大学産業科学研究所（東洋合成）
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
EUVリソグラフィーは半導体微細化と生産性向上に貢献する技術であるが莫大なエネルギー消費が必要である。このエネルギー消費を低減する目的でEUVレジスト高解像度化と省エネルギー化へ寄与する感光性材料の開発を達成する。
実験 / Experimental
化学増幅型レジストを調整後、2.5 cm角シリコンウェハにをスピンコートし、電子線描画装置で描画後、ホットプレートで加熱し、冷却後、2.38wt%TMAH現像液で現像、純粋でリ ンスし、乾燥した。得られたレジストパターンをSEMで観察した。
結果と考察 / Results and Discussion
レジスト材料の合成、添加剤濃度等の組成の調整後、電子線描画装置で露光実験を行っているが、現在の所、露光量、プロセス条件の最適化を行っており、開始が本年度2月であったため、まだ、報告可能な結果が得られていない。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件