【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.04.01】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23OS1072

利用課題名 / Title

窒化物半導体を用いた導波路型非線形光学デバイスに関する研究

利用した実施機関 / Support Institute

大阪大学 / Osaka Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

Honda Hiroto

所属名 / Affiliation

大阪大学大学院工学研究科電気電子情報通信工学専攻

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

OS-109：深掘りエッチング装置
OS-110：リアクティブイオンエッチング装置

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

チャネル導波路型非線形光学デバイスの作製のためにICP-RIEとCCP-RIEを用いたドライエッチングのを行った。

実験 / Experimental

オペレーショントレーニングとして、SiのドライエッチングをICP-RIEとCCP-RIEのそれぞれの装置で実施した。その後、電子顕微鏡を用いてドライエッチング後のサンプル断面の観察を行った。

結果と考察 / Results and Discussion

SEM観察の結果、ICP-RIEに比べてCCP-RIEによってエッチング行ったサンプルの側壁の傾斜角が垂直に近いことが分かった。ただし側壁の直線性はICP-RIEのほうが高く、CCP-RIEによって形成した側壁は高さ方向中央で湾曲していた。この湾曲はチャージアップによるものと考えており、垂直性はわずかに悪化することが予想されるが、圧力を高くすることによって改善する可能性がある。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件