【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.04.01】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23OS1061
利用課題名 / Title
FDTRによる熱物性計測のための試料表面への金属薄膜の成膜
利用した実施機関 / Support Institute
大阪大学 / Osaka Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
内山 知也
所属名 / Affiliation
サイエンスエッジ株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
藪本宗士
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
周波数領域サーモリフレクタンスの測定では、サンプル表面にサーモリフレクタンス係数CTRの高い金属薄膜をトランスデューサーとして成膜する必要があります。金属薄膜のCTRは金属の種類とポンプ光の波長の組み合わせによって決まり、514nmのプローブレーザーに対してはAuが最適です。そこで、ARIMのRFスパッタ成膜装置を用いて、トランスデューサーの成膜を試みました。
実験 / Experimental
測定対象の試料をチャンバー内の４インチウエハー程度の範囲内に複数の試料を設置し、5 x 10-4Pa程度まで真空引きを行い、トランスデューサーの成膜を行いました。はじめに、接着層としてCrを数nm程度成膜し、その後、ターゲットを変更してAuを70nm程度成膜しました。段差計で膜厚計測をするために試料上の一部に金属片を設置してマスクしました。
結果と考察 / Results and Discussion
すべての試料にトランスデューサーの成膜をすることができました。一方、段差計を用いた膜厚計測によると、４インチウエハー程度の範囲内で150~90ナノメートル程度の膜厚のグラデーションが生じることが分かりました。トランスデューサーの膜厚は、周波数領域サーモリフレクタンスによる熱物性の定量値を左右するパラメータのひとつであるため、試料間の膜厚のばらつきはなるべく少なく抑える必要があるため、試料設置の際は、なるべく少数の試料に限定し、チャンバーの中央近傍に設置することで、膜厚のばらつきを回避する必要があることが分かりました。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件