【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.06.12】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23OS1041
利用課題名 / Title
SNDMを用いたシリコン及び化合物半導体の故障解析
利用した実施機関 / Support Institute
大阪大学 / Osaka Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）物質・材料合成プロセス/Molecule & Material Synthesis（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
シリコン基材料・デバイス/ Silicon-based materials and devices,SNDM,走査型プローブ顕微鏡/ Scanning probe microscopy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
清水 信義
所属名 / Affiliation
ローム株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
和辻 祐規子 様
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
半導体の不良解析の一環として、走査型非線形誘電率顕微鏡(Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy)を用いた半導体不純物プロファイルの断面観察を目指している。試料作製方法は課題番号 22OS1041で報告しているが、サンプル作成の人による差の確認と、SNDMの観察条件の違いによる像の見え方の差を確認する。
実験 / Experimental
①SJ-MOSと②SiC-MOSを断面研磨法で断面出しを行い、SNDMによる観察を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
①SJ-MOS観察結果
SJ-MOSの断面観察結果を図1に示す。
課題番号22OS1041と同等のSNDM像が得られ、断面研磨による試料作製方法は確立できたと考える。
②SiC-MOS観察結果
SiC-MOSに対しSJ-MOSのSNDMと同条件で観察すると像の濃淡が薄いため、観察条件の水準振りを行った。
条件一覧を表1に示す。観察条件のなかで最良の結果が得られた条件5の断面観察結果を図2に示すが、まだ明瞭に観察出来ていない。
SJ-MOSより微細な構造であることが影響している可能性もあるが、観察条件の更なる改善が必要と考える。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1. SJ-MOSのSNDM像 (断面研磨品)
表1. SiC-MOS SNDM観察条件
図2. SiC-MOSのSNDM像 観察条件5 (断面研磨品)
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件