【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.04.01】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23OS1034
利用課題名 / Title
微細プロセス構築可能なEUVレジストの開発及び次世代材料の探索
利用した実施機関 / Support Institute
大阪大学 / Osaka Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials
キーワード / Keywords
リソグラフィ/Lithography
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
古澤 孝弘
所属名 / Affiliation
大阪大学産業科学研究所(東京応化工業共同研究)
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
化学増幅レジスト材料の特性をを見極めるため、電子線描画で得られるレジストパターンと反応機構に基づいたシミュレーションの比較を行い、重要指標のパラメータ化を実施する。
実験 / Experimental
化学増幅型レジストを調整後、2.5 cm角シリコンウェハにをスピンコートし、電子線描画装置で描画、PEB後、2.38wt%TMAH現像液で現像、純粋でリ ンスし、乾燥した。得られたレジストパターンをSEMで観察した。
結果と考察 / Results and Discussion
本年度は、光分解性塩基の濃度をかえて実験を行った。Fig. 1に代表的なレジストパターンを示す。Fig. 1はピッチ140 nmのライン＆ スペースパターンで、露光量は160 uC cm-2である。レジスト膜厚は50 nm である。今後、今回得られたSEMデータをシミュレーションで解析していく予定である。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 1 SEM images of line-and-space patterns with 140 nm pitch.
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件