【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.03.27】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23OS1032
利用課題名 / Title
電子線リソグラフィーを利用した高アスペクト配向ナノワイヤアレイの作成
利用した実施機関 / Support Institute
大阪大学 / Osaka Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）物質・材料合成プロセス/Molecule & Material Synthesis
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
スパッタリング/ Sputtering,リソグラフィ/ Lithography
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
羽原 英明
所属名 / Affiliation
大阪大学大学院工学研究科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
香川祐紀,上山慶典,武田尚大,宮崎大地
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術代行/Technology Substitution
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
OS-114：RFスパッタ成膜装置（金属成膜用）
OS-105：高速大面積電子ビームリソグラフィー装置
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
ナノワイヤ構造を使用すると高強度レーザーの吸収率が増加し、高効率にX線、高速粒子を得ることができる。さらにシミュレーションの結果から、材質を金のナノワイヤを使用したほうがより高輝度なガンマ線、X線を生成できることが分かった。そこで今年は、金でナノワイヤを作成するための土台となる部分の作成を試みた。
実験 / Experimental
レジストを塗布したSi基板に、電子ビームリソグラフィー装置を使用してビームを照射した。ビーム照射後の基板上に、RFスパッタ装置でCrを製膜した。
結果と考察 / Results and Discussion
サンプルの画像をFig.１に示す。リソグラフィーを用いて3cm×3cmの領域に600nmごとに円柱状のリソグラフィを正確な周期で行うことができた。今後は金をメッキするために最適な照射部分の広さ、間隔を検証していく必要がある。また、描画時間の短縮を実現しより高効率な作成も進めていく必要がある。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1 Overview of aligned Si-nano rods
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
- 香川祐紀, 羽原英明, Amit D.Rad, G.Ravindra Kumar, 蔵満康浩, 安部勇輝, 「回折格子を用いた高強度レーザーの表面プラズモン共鳴と電場増強効果の検証」 第40回 プラズマ・核融合学会 年会 27Cp05
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件