利用報告書 / User's Reports


【公開日:2024.07.25】【最終更新日:2024.05.20】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23OS1020

利用課題名 / Title

レジスト材料の感光性試験

利用した実施機関 / Support Institute

大阪大学 / Osaka Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed(副 / Sub)-

キーワード / Keywords

電子線リソグラフィ/ EB lithography,先端半導体(超高集積回路)/ Advanced Semiconductor (Very Large Scale Integration)


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

西村 章

所属名 / Affiliation

大阪大学大学院工学研究科日本触媒協働研究所

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub),技術補助/Technical Assistance


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

OS-103:超高精細電子ビームリソグラフィー装置


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

日本触媒で開発しているレジスト材料の感光性を評価するため、超高精細電子ビームリソグラフィー装置を用いて加工し評価した。

実験 / Experimental

HDMS処理をしたシリコンウエハ上に、既知レジスト材料もしくは日本触媒開発品であるレジスト材料(A, B)をスピンコートで塗布し、その後90℃でプリベークして成膜基板を作成した。また、上記と同様に作成した基板に対し、露光量100-500 μC/cm2の間5点で200/200 nmのL/Sパターンの電子線照射を実施した。電子線照射後、現像液にて基板を現像し、さらに150℃でハードベーク処理をした。処理後のサンプルは、日本触媒社内のレーザー顕微鏡により観察した。

結果と考察 / Results and Discussion

既知のレジスト材料と比較して、今回使用したレジストA、Bどちらも現像後のコントラストが悪く感度が低い結果であった(Figure 1)。また、200 μC/cm2での拡大画像を比較しても(Figure 2)、既知材料ではL/Sパターンがはっきり描画されているのに対し、レジストAおよびBではほとんどL/Sパターンが確認できない状態であった。電子線に対する感度はレジストの分子構造と関係があると考えられ、今後もレジスト構造と電子線感度について比較検討し、高感度かつ微細パターンの形成につながる構造の最適化を目指す。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations


Figure 1. 露光パターンと電子線露光量ならびに、露光・現像後の既知レジストおよびレジストA、B塗布基板の顕微鏡観察結果(倍率10倍)



Figure 2. 露光・現像後の既知レジストおよびレジストA、B塗布基板の顕微鏡観察結果(@ 200 μC/cm2、倍率150倍)


その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)

本実験を実施するにあたり、大阪大学産業科学研究所 マテリアル先端リサーチインフラ設備供用拠点(ARIM)の近田様、佐久間様、和辻様には装置の使用に関してご指導、ご助言をいただきましたこと、この場をお借りして感謝申し上げます。


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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