【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.04.03】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23OS1013
利用課題名 / Title
レジスト構成分子の特性評価
利用した実施機関 / Support Institute
大阪大学 / Osaka Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials（副 / Sub）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials
キーワード / Keywords
リソグラフィ/Lithography
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
古澤 孝弘
所属名 / Affiliation
大阪大学産業科学研究所（三菱ガス化学）
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
越後 雅敏（三菱ガス化学）,大松 禎（三菱ガス化学）
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
現在、化学増幅型レジストが半導体製造における標準レジストとして使用されてい る。次世代材料の設計指針を得るため、レジスト構成分子の特性を実験により明ら かにする。
実験 / Experimental
化学増幅型レジストを調整後、2.5 cm角シリコンウェハにをスピンコートし、電子 線描画装置で描画後、110℃60秒および180秒でPEB、2.38wt%TMAH現像液で現像後、純粋でリ ンスし、乾燥した。得られたレジストパターンをSEMで観察した。
結果と考察 / Results and Discussion
本年度は、材料評価の指標として使用するための標準レジストのPEB時間依存性を検証した。Fig. 1にPEBを60秒と180秒行って得られた代表的なレジストパターンを示す。Fig. 1はピッチ140 nmのライン＆ スペースパターンで、露光量は208 uC cm-2である。レジスト膜厚は100 nm である。PEB時間60秒に比べて、若干レジストラインが細くなったが、PEB60秒の時点で電子線照射によって生成した酸がほぼ消費できていることが確認された。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 1 SEM images of line-and-space patterns with 140 nm pitch, obtained using a chemically amplified resist as a standard.
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件