【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.05.28】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23TU0205
利用課題名 / Title
化合物ウェハのドライ加工プロセス開発
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学 / Tohoku Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion
キーワード / Keywords
プラズマエッチング,エレクトロデバイス/ Electronic device,センサ/ Sensor,パワーエレクトロニクス/ Power electronics,膜加工・エッチング/ Film processing/etching,光リソグラフィ/ Photolithgraphy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
吉田 一樹
所属名 / Affiliation
山形県工業技術センター
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
菊田 利行
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
TU-206：アルバックICP-RIE#2
TU-052：アクテス スピンコータ#1
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
従来MEMSプロセスにはSi基板が用いられてきたがデバイスの高性能化とウェハ材料の多様化に伴いSi以外の材料を用いたデバイス開発ニーズが高まっている。本研究では化合物ウェハの微細加工プロセス条件検討を行うために、過去に実績のある条件での加工実験を行いこれから取り組む新規手法による加工サンプルのリファレンスとして使用することを目的とする。ウェハ上にテストパターンを形成したサンプルに対してエッチングを施し、仕上がり形状とプロセス条件の相関についてデータを取得する。
実験 / Experimental
事前に自社にてフォトリソグラフィによるパターニングを施した化合物ウェハを持ち込みICP-RIE装置（TU-206）を使用してエッチング試験を実施した。エッチング後のサンプルの形状評価については自社にて白色干渉顕微鏡、光学顕微鏡を用いてエッチング深さと表面状態を評価した。
結果と考察 / Results and Discussion
図1に今回使用したレジストパターンを示す。線幅0.8～5 µｍの開口部を設けたパターンをSiCウェハ上に形成し、RIEによるエッチング加工を行った。エッチングガスにはCF4を用いて、5分エッチング、チャンバークリーニング10分を1セットとして5セット加工を実施した。エッチング後のウェハ表面観察像を図2に示す。レジストパターンと比較してパターン幅が広がっていることがわかるが、レジストの焦げ付きや表面荒れは見られなかった。白色干渉顕微鏡によってエッチング深さを測定したところ概ね500 nm程度の深さの溝が形成できていることが分かった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1 RIE前のレジストパターン
図2 RIE処理後のパターン
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件