【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.05.28】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23TU0204
利用課題名 / Title
高耐熱白金薄膜の形成
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device,センサ/ Sensor,スパッタリング/ Sputtering
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
石橋 孝裕
所属名 / Affiliation
北陸電気工業株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
森山雅昭
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
高温基板加熱可能なスパッタ装置を使用することにより、白金薄膜の結晶粒を均一化し、加熱・発熱時の膜質変化を抑える事が可能な白金薄膜を成膜・形成する。
実験 / Experimental
東北大学試作コインランドリのRTA付高温スパッタ装置を用いてYSZ(8mol%Y)基板上に白金薄膜を成膜、熱処理前後の結晶性を評価する。
<成膜条件>
基板加熱温度：700 ℃狙い
Ar圧力：0.86 Pa
成膜出力：400WDC
<結晶性評価方法>
①抵抗温度係数測定（自機関設備）
②電子線後方散乱回折法 EBSD（自機関設備）
<熱処理条件>
750 ℃、 72時間大気（自機関設備)
結果と考察 / Results and Discussion
①熱処理前：3510～3520 ppm/℃、熱処理後：3530～3540 ppm/℃
②熱処理前：(111)の結晶方位に揃っており、結晶粒界は確認できなかった。
熱処理後：(111)の結晶方位に揃っているが、薄膜表面の凹凸を確認した。
高温スパッタ成膜により単結晶に近い良好な結晶性の白金薄膜を成膜することができた。
しかしながら熱処理により抵抗温度係数や白金薄膜の表面形状が変化したため、この変化の原因について引き続き調査を行う。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
なし
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件