【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.05.28】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23TU0200
利用課題名 / Title
高屈折率、Low-k値を有する光学薄膜の条件検討/Cross-sectional observation of oxide nanodevices
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
フォトニクスデバイス/ Nanophotonics device,メタマテリアル/ Metamaterial,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation,スパッタリング/ Sputtering
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
井上 明久
所属名 / Affiliation
JSR株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
TU-160：自動搬送 芝浦スパッタ装置（加熱型）
TU-161：自動搬送 芝浦スパッタ装置（冷却型）
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
屈折率＞2.0 、可視光領域k値＜0.02 の光学薄膜を得るため、東北大学試作コインランドリのRFマグネトロンを利用して成膜条件の検討を行った。
実験 / Experimental
芝浦メカトロニクス製 !-Miller CFS-4EP-LL（冷却型、加熱型）を用い、スパッタターゲットとしてTa2O5およびNbを用いて成膜条件検討を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
成膜条件は基板温度およびO2フローレートをそれぞれのターゲットで変更し検証を行った。代表的な成膜条件および評価結果をTable1に示す。
基板温度による顕著な差異は見られなかった。Ar/O2フローレートはk値および成膜レートに大きく影響した。特に成膜レートはO2フローレートを上げると顕著に低下した。ターゲットとしてNbを用いた場合は良好な成膜レートを示す条件は得られなかった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Table1.
各種成膜条件と膜物性
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件