【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.04.01】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23NI0814
利用課題名 / Title
ポリフルオロアレーンの光レドックス触媒的ホウ素化反応の開発
利用した実施機関 / Support Institute
名古屋工業大学 / Nagoya Tech.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）物質・材料合成プロセス/Molecule & Material Synthesis（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マテリアルの高度循環のための技術/Advanced materials recycling technologies（副 / Sub）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed
キーワード / Keywords
ホウ素化,光レドックス触媒,ラジカル,単結晶X線回折/ Single crystal X-ray diffraction,高品質プロセス材料/技術/ High quality process materials/technique,資源代替技術/ Resource alternative technology
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
川村 稜於
所属名 / Affiliation
名古屋工業大学大学院工学研究科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
ポリフルオロアレーンの光レドックス触媒によるホウ素化は、求核性の低いホウ素ラジカルによる報告例のみで、より温和な条件でのホウ素化が課題であった。本研究では、求核性の高いホウ素ラジカルを用いることで、温和な反応条件によるこれまでにないポリフルオロアレーンのホウ素化を試みた。
実験 / Experimental
ポリフルオロアレーンと高い求核性を有するホウ素ラジカル前駆体を光レドックス触媒条件下、光を照射すると、良好に反応が進行し、一部のフッ素がホウ素化されたポリフルオロアレーンが得られた。生成物を精製・再結晶することで単結晶を得ることに成功した。得られた単結晶については、単結晶Ｘ線結晶構造解析装置（Rigaku Mercury diffractometer AFC-8R）を用いて構造決定を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
ポリフルオロアレーンと高い求核性を有するホウ素ラジカル前駆体の反応によって得られた結晶から単結晶を作成し、Ｘ線結晶構造解析を試みた。予備測定を行ったところ、結晶の正確性が80%を超えなかったため、本測定できなかった。生成物の再結晶において、より大きめの単結晶を得ることで再度測定する。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
本研究は、未発表の研究である。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件