【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.04.21】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23KT1134
利用課題名 / Title
マイクロトーションテストデバイスの作製
利用した実施機関 / Support Institute
京都大学 / Kyoto Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials
キーワード / Keywords
シリコン結晶,疲労,結晶滑り,ねじり共振器,MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device,スパッタリング/ Sputtering,膜加工・エッチング/ Film processing/etching,光リソグラフィ/ Photolithgraphy,3D積層技術/ 3D lamination technology
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
神谷 庄司
所属名 / Affiliation
名古屋工業大学 大学院工学研究科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
泉 隼人
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
佐藤政司,諫早信明,今井憲次
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
KT-201：多元スパッタ装置（仕様Ａ）
KT-103：レーザー直接描画装置
KT-259：深堀りドライエッチング装置（２）
KT-104：高速マスクレス露光装置
KT-209：磁気中性線放電ドライエッチング装置
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
MEMS構造材料としてのシリコン結晶の疲労につながる結晶すべりを透過電子顕微鏡中でその場観察するべく、引張/圧縮応力を独立に負荷することのできるねじり共振器を作製している。
実験 / Experimental
4inch SOIシリコンウェハを持込み、表面酸化の後にPZTを堆積（KT-201：多元スパッタ装置（仕様Ａ））し、これをエッチング（KT-209:磁気中性線放電ドライエッチング装置）でパタニングすることで、デバイス構造の製作を試みた。
結果と考察 / Results and Discussion
KT-209：磁気中性線放電ドライエッチング装置によるPZTのエッチングにおいて、パタニングのためのレジスト膜に焼けやはがれ等のトラブルが頻発し、これらを回避するための適切なエッチングパラメータを見出すのに時間を要している。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件