【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.06.12】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23OS0026

利用課題名 / Title

半導体レーザ素子のTEM観察のための基礎検討

利用した実施機関 / Support Institute

大阪大学 / Osaka Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions

キーワード / Keywords

化合物半導体,電子顕微鏡/ Electronic microscope

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

松田 竹善

所属名 / Affiliation

古河電気工業㈱

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

下山田　篤史

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

市川　聡,山﨑　順

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

OS-001：3MV超高圧電子顕微鏡
OS-002：1MV物質・生命科学超高圧電子顕微鏡
OS-007：材料系電子顕微鏡用試料作製装置群

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

光通信用半導体レーザ素子をできるだけ厚膜でTEM観察するための基礎検討を行った。
1250kV-STEMと2MV-TEMを用いてGaAsおよびInP単結晶中に転位を含む試料の厚さを変えて観察したところ７µｍ程度の厚さまで観察可能であることが分かった。

実験 / Experimental

試料　InPおよびGaAs単結晶（転位を含むもの）をFIBにより厚さを変えて薄片作製（3,5.7µm）
装置　H-3000（２MV）、JEM-1000EES（1250kV）　　　

結果と考察 / Results and Discussion

GaAs、InPともに単結晶中の転位は1250kVｰSTEMではTEM試料厚さ5µｍ、2MV-TEMでは7µm程度まで確認できた。
ただし、実際のデバイスで視野を探しながら観察することを考えるとＴＥＭ試料厚は5µｍ程度が実用上の限界であることも分かった。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

試料厚さを変えたInP中の転位のSTEMおよびTEM像

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件