利用報告書 / User's Reports


【公開日:2024.07.25】【最終更新日:2024.06.12】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23OS0010

利用課題名 / Title

先進電子顕微鏡群を利用した半導体デバイスの各種解析

利用した実施機関 / Support Institute

大阪大学 / Osaka Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)計測・分析/Advanced Characterization(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials(副 / Sub)量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions

キーワード / Keywords

シリコン基材料・デバイス/ Silicon-based materials and devices、化合物半導体/ Compound semiconductor,電子顕微鏡/ Electronic microscope


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

髙田 里菜

所属名 / Affiliation

ローム㈱

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub),技術相談/Technical Consultation


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

OS-001:3MV超高圧電子顕微鏡
OS-003:200kV原子分解能走査透過分析電子顕微鏡


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

半導体の故障解析を目的に、厚めサンプルで観察可能な超高圧電子顕微鏡(H-3000)を利用いたしました。

実験 / Experimental

故障箇所を特定された半導体デバイスについて厚さ4μmまでの薄膜加工をFIBにて実施し、超高圧電子顕微鏡(H-3000)にて観察を行いました。
観察時には、厚めサンプルの特徴を活かしてTilitをかけての詳細観察を行いました。

結果と考察 / Results and Discussion

半導体製品の故障箇所に対して厚めに加工を行ったサンプルを超高圧電子顕微鏡電子顕微鏡で観察を行う事で不良箇所の特定をすることができました。不良箇所の特定を行った上で、サンプルにTilitをかけることで三次元的に観察を行う事が出来ました。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
  1. 髙田里菜、比氣朋典、吉川正夫、安田哲也、市川聡、”超高圧電子顕微鏡を用いたLSIのEmission反応箇所の観察”、日本顕微鏡学会学術講演会(島根)、2023年6月26日
  2. 髙田里菜、比氣朋典、吉川正夫、安田哲也、市川聡、”Observation of Semiconductor Device Failure Point by Ultra-High Voltage Electron Microscopy”、ICMaSS2023(愛知)、2023年12月2日
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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