【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.06.17】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23NU0078
利用課題名 / Title
SiO2基板上遷移金属ダイカルコゲナイド膜の TEM 解析
利用した実施機関 / Support Institute
名古屋大学 / Nagoya Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
2硫化モリブデン、高分解能観察、結晶粒径,電子顕微鏡/ Electronic microscope,高品質プロセス材料/技術/ High quality process materials/technique
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
宗田 伊里也
所属名 / Affiliation
東京工業大学工学院電気電子系
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
五十嵐 信行,狩野 絵美,若林 肇
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
五十嵐 信行
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）,共同研究/Joint Research
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
NU-102：高分解能電子状態計測走査透過型電子顕微鏡システム
NU-106：試料作製装置群
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
スパッタ時の基板温度を変えた二硫化モリブデン（MoS2） 原子層状薄膜試料を作製し、透過型電子顕微鏡により原 子スケールの平面格子像を撮像した。スパッタ時の基板 の温度により、結晶構造に違いがあり、温度が高いほど結 晶粒が大きくなることを明らかにした。
実験 / Experimental
高分解能電子状態計測操作透過型電子顕微鏡システム(JEM-ARM 200F)を用いて原子分 解能 HAADF-STEM 観察を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
MoS2 は図(a)のような構造をしており、(b)のように積層して いる。図(c)は 2 層領域の MoS2 を平面観察したもので、数 nm ごとに積層構造の異なる結晶粒が観察された。本観 察では、デバイス用の基板上に形成した MoS2 膜の断面 及び平面観察を実現し、その原子層薄膜の構造を、初め て原子スケールで明らかにした。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
(a) MoS2のモデル図 (b) 断面電子顕微鏡像。4-5層のMoS2が規則的な間隔で積み重なっている (c) 基板温度400℃での平面電子顕微鏡像。数nmサイズの結晶粒で構成。
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
(1) 武田 高志, 小野 凌, 草間 優太, 狩野 絵美, 宗 田 伊理也, 若林 整, 五十嵐 信行, 第 84 回応用物理 学会秋季学術講演会, 2023 年 9 月 20 日（発表日）.
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件