【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.06.24】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23JI0046
利用課題名 / Title
磁性多層膜の結晶性とそのアニール温度依存性
利用した実施機関 / Support Institute
北陸先端科学技術大学院大学 / JAIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）物質・材料合成プロセス/Molecule & Material Synthesis（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions
キーワード / Keywords
薄膜材料結晶性解析装置/PANalytical X'Pert PRO MRD,スピントロニクス/ Spintronics
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
後藤 穣
所属名 / Affiliation
国立大学法人福井大学工学部
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
後藤 穣
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
仲林 裕司
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
磁気トンネル接合の強磁性体層であるCoFeBは熱処理によって絶縁体層であるMgOの界面から固相エピタキシャル成長する。本研究では、熱処理プロセスの最適化をするためにTa|CoFeB|MgO|CoFeB|Ta|Ru系における結晶構造のX線回折パターンのアニール温度依存性を測定した。
実験 / Experimental
表面酸化されたシリコン基板上にTa|CoFeB|MgO|CoFeB|Ta|Ruを製膜し、その後室温～500℃の温度で１時間アニール処理を行った。そのサンプルをX線回折装置によって測定した。
結果と考察 / Results and Discussion
測定の結果、回折角度45度近傍でピークが検出された。これはCo-Fe-B(110)面の回折ピークと考えられる。この回折強度を確認したところ、350度近傍で強度変化が検出された。これは350度にて原子が大きく動いており、Ta|Co-Fe-B|MgO|Co-Fe-B|Ta|Ru系におけるCo-Fe-Bの固相エピタキシャル成長温度を起こすアニールの最適温度がこの温度近傍であることを示唆している。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件