【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.03.25】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23KT1334
利用課題名 / Title
配向性Pt薄膜の形成
利用した実施機関 / Support Institute
京都大学 / Kyoto Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
次世代磁気メモリ,CoPt薄膜,電解めっき,Si基板,hcpフェーズ,001配向,シード層,111配向,Pt薄膜,スピン注入,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation,PVD,スパッタリング/ Sputtering,スピントロニクス/ Spintronics
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
高村 陽太
所属名 / Affiliation
東京工業大学 工学院
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
斎藤裕太,黄童雙,齋藤美紀子,Md. M. Hasan,中川茂樹
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
瀬戸弘之
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
KT-111：ウエハスピン洗浄装置
KT-201：多元スパッタ装置（仕様Ａ）
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
次世代磁気メモリの材料として、c軸配向したCoPt薄膜を電解めっきで作製するために、Si基板上にhcpフェーズの001配向CoPt薄膜をめっきで作製するシード層として，111に高配向したPt薄膜を作製する。また，PtからCoPtへのスピン注入も実施する．
実験 / Experimental
ウエハスピン洗浄装置でSi基板を洗浄し，Si基板上にTi/Ptをスパッタ法により作成し、111配向したPt膜15 nmを作製した。その後試料表面を化学的に洗浄し、電解めっき法によりCoPt薄膜を形成した.パルス電流の条件をふり，最適な成膜条件を探索する．
結果と考察 / Results and Discussion
6 nmの極薄CoPt薄膜の形成に成功した条件を標準とした．電析めっきパルスのＯＦＦ時間を延ばしたところ，垂直磁気異方性が向上した．一方，オージェ電子分光法から見積もったPt組成はOff時間が長いと増加しており，先行研究の結果と逆の結果となっていた．垂直磁気異方性が向上するメカニズムについては，微細構造観察などの追加実験が必要であると考えている．
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
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Tongshuang Huang, Development of Ultra-Thin CoPt Films With Electrodeposition for 3-D Domain Wall Motion Memory, IEEE Transactions on Magnetics, 59, 1-5(2023).
DOI: 10.1109/TMAG.2023.3298911
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Md. Mahmudul Hasan, Preparation and Characterization of High Aspect Ratio Electrodeposited CoPt Multilayered Magnetic Nanowires, 2023 IEEE International Magnetic Conference (INTERMAG), , 1-5(2023).
DOI: 10.1109/INTERMAG50591.2023.10265078
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Md. Mahmudul Hasan, Electrodeposited CoPt multilayered-nanowire for 3D memory device, 2023 IEEE International Magnetic Conference - Short Papers (INTERMAG Short Papers), , 1-2(2023).
DOI: 10.1109/INTERMAGShortPapers58606.2023.10228236
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
- Md. M. Hasan, T. Huang, M. Saito, Y. Takamura. T. Homma, “Investigation of structural and magnetic properties of electrodeposited CoPt alloy nanowires for 3D magnetic memory application,” The 47th Annual Conf. on MAGNETICS in Japan., Oral, 27aC-3, Osaka, Sept. 27th 2023.
- T. Huang, Y. Takamura, S. Isogami, Y. Saito, Md. M. Hasan, M. Saito, S. Kasai, S. Nakagawa, “Second harmonic Hall measurement for CoPt thin film formed on highly oriented Pt layer with electrochemical deposition,” JSAP Fall Meeting, 23p-A201-5, Kumamoto, Sept. 23rd 2023.
- Md. M. Hasan, T. Huang, M. Saito, Y. Takamura, T. Homma, “High aspect ratio electrodeposited CoPt multi-layered alloy nanowires for memory application,” 2023 ECSJ Fall Meeting, Oral, S9_1_02, Fukuoka, Sept. 11th, 2023.
- Md. M. Hasan, T. Huang, M. Saito, Y. Takamura, T. Ono, T. Homma, ”3D CoPt Multilayred nanoswires: Preparation, Characterization and Application,” MML, Soul, South Korea, poster, 0327, Seoul, Korea, July 2023.
- T. Huang, Y. Takamura, M. Saito, M.-M. Hasan, S. Kasai, Y. Sonobe, S. Nakagawa, “Development of ultra-thin CoPt films with electrodeposition for three-dimensional domain wall motion memory,” Intermag 2023, poster, GR-05, Sendai, Japan, May 2023.
- Md. M. Hasan, T. Huang, M. Saito, Y. Takamura, D. Oshima, T. Kato, T. Homma, “Electrodeposited CoPt multilayered-nanowire for 3D memory device,” Intermag 2023, oral, FC-04, Sendai, Japan, May 2023.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件