【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.03.25】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23KT1162
利用課題名 / Title
配向性Pt薄膜の形成
利用した実施機関 / Support Institute
京都大学 / Kyoto Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）量子・電子制御により革新的な機能を発現するマテリアル/Materials using quantum and electronic control to perform innovative functions（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
次世代磁気メモリ,CoPt薄膜,電解めっき,Si基板,hcpフェーズ,001配向,シード層,111配向,Pt薄膜,スピン注入,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation,スパッタリング/ Sputtering,スピントロニクス/ Spintronics
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
高村 陽太
所属名 / Affiliation
東京工業大学 工学院
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
黄童雙,斎藤裕太,斎藤美紀子,Md. M. Hasan,中川茂樹
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
瀬戸弘之
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
KT-111：ウエハスピン洗浄装置
KT-201：多元スパッタ装置（仕様Ａ）
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
次世代磁気メモリの材料として、c軸配向したCoPt薄膜を電解めっきで作製するために、Si基板上にhcpフェーズの001配向CoPt薄膜をめっきで作製するシード層として，111に高配向したPt薄膜を作製する。また，PtからCoPtへのスピン注入も実施する．
実験 / Experimental
ウエハスピン洗浄装置でSi基板を洗浄し，Si基板上にTi/Ptをスパッタ法により作成し、111配向したPt膜15 nmを作製した。その後試料表面を化学的に洗浄し、電解めっき法によりCoPt薄膜を形成した.その後はデバイス加工し，スピン注入の実験を行った．
結果と考察 / Results and Discussion
まず6nmの極薄CoPt薄膜をパルスめっき法で得た．さらに交流電流に対する異常ホール電圧の第二高調波成分から，スピン注入を実証した．得られたスピン信号からめっき膜に注入されたスピンの量を見積もったところ，すべてスパッタ法で形成した膜と遜色ない結果が得られ，めっき技術がスピントロニクスデバイスの作製にも有効であることを示した．
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
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Tongshuang Huang, Development of Ultra-Thin CoPt Films With Electrodeposition for 3-D Domain Wall Motion Memory, IEEE Transactions on Magnetics, 59, 1-5(2023).
DOI: 10.1109/TMAG.2023.3298911
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Md. Mahmudul Hasan, Preparation and Characterization of High Aspect Ratio Electrodeposited CoPt Multilayered Magnetic Nanowires, 2023 IEEE International Magnetic Conference (INTERMAG), , 1-5(2023).
DOI: 10.1109/INTERMAG50591.2023.10265078
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Md. Mahmudul Hasan, Electrodeposited CoPt multilayered-nanowire for 3D memory device, 2023 IEEE International Magnetic Conference - Short Papers (INTERMAG Short Papers), , 1-2(2023).
DOI: 10.1109/INTERMAGShortPapers58606.2023.10228236
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
- Md. M. Hasan, T. Huang, M. Saito, Y. Takamura. T. Homma, “Investigation of structural and magnetic properties of electrodeposited CoPt alloy nanowires for 3D magnetic memory application,” The 47th Annual Conf. on MAGNETICS in Japan., Oral, 27aC-3, Osaka, Sept. 27th 2023.
- T. Huang, Y. Takamura, S. Isogami, Y. Saito, Md. M. Hasan, M. Saito, S. Kasai, S. Nakagawa, “Second harmonic Hall measurement for CoPt thin film formed on highly oriented Pt layer with electrochemical deposition,” JSAP Fall Meeting, 23p-A201-5, Kumamoto, Sept. 23rd 2023.
- Md. M. Hasan, T. Huang, M. Saito, Y. Takamura, T. Homma, “High aspect ratio electrodeposited CoPt multi-layered alloy nanowires for memory application,” 2023 ECSJ Fall Meeting, Oral, S9_1_02, Fukuoka, Sept. 11th, 2023.
- Md. M. Hasan, T. Huang, M. Saito, Y. Takamura, T. Ono, T. Homma, ”3D CoPt Multilayred nanoswires: Preparation, Characterization and Application,” MML, Soul, South Korea, poster, 0327, Seoul, Korea, July 2023.
- T. Huang, Y. Takamura, M. Saito, M.-M. Hasan, S. Kasai, Y. Sonobe, S. Nakagawa, “Development of ultra-thin CoPt films with electrodeposition for three-dimensional domain wall motion memory,” Intermag 2023, poster, GR-05, Sendai, Japan, May 2023.
- Md. M. Hasan, T. Huang, M. Saito, Y. Takamura, D. Oshima, T. Kato, T. Homma, “Electrodeposited CoPt multilayered-nanowire for 3D memory device,” Intermag 2023, oral, FC-04, Sendai, Japan, May 2023.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件