利用報告書 / User's Reports


【公開日:2024.07.25】【最終更新日:2024.06.29】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23UT0369

利用課題名 / Title

金属ピン(メッキ付き)先端の断面作成と観察

利用した実施機関 / Support Institute

東京大学 / Tokyo Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)計測・分析/Advanced Characterization(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed(副 / Sub)次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials

キーワード / Keywords

各種表面処理等/ Various surface treatments,集束イオンビーム(FIB)/ Focused ion beam,電子顕微鏡/ Electronic microscope,集束イオンビーム/ Focused ion beam


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

小橋 一輝

所属名 / Affiliation

株式会社エンプラス研究所

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

寺西 亮佑,木村 鮎美

利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub),技術補助/Technical Assistance


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

UT-156:集束イオンビーム加工観察装置(FIB)


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

金属ピン先端部のメッキ膜の評価のための断面加工

実験 / Experimental

金属ピン(メッキ付き)の先端部の任意位置で、FIB-SEMによる断面加工と観察(メッキ膜の厚さや形状の確認)を行った。
自社に持ち帰り、EDS分析でメッキ層の組成確認も行った。

結果と考察 / Results and Discussion

金属ピン表面に多層のメッキ処理をしたもので、ピン先端部でのFIB断面作成とSEM観察を行った。また、自社に持ち帰り後、EDS分析も追加した。
断面研磨やCP加工で行った場合、伸び変形・内部空洞(巣)の潰れといった問題のほか、加工位置の精度(先端は曲面のため位置がズレると厚さも変わる)にも問題があった。FIBだと変形や潰れもなく、表面SEM観察からそのまま加工位置を指定することができたために、ピン先端を狙って加工を行った。また、事前にEDS分析などを行っておくことで特異的な状態になっている地点を特定し、その断面を加工することができた。
これにより、めっき各層の厚みや状態(巣など)を確認することができた。同時に、ピン先端部の金属の状態が、想定と異なる状態になっていることも確認できた。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations


図1_ピン先端の模式図


その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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