利用報告書 / User's Reports


【公開日:2023.07.31】【最終更新日:2023.05.16】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

22MS5033

利用課題名 / Title

スパッタリング法で得られた薄膜の膜厚測定

利用した実施機関 / Support Institute

自然科学研究機構 分子科学研究所 / IMS

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用(ARIM事業参画者以外)/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)物質・材料合成プロセス/Molecule & Material Synthesis(副 / Sub)計測・分析/Advanced Characterization

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)マテリアルの高度循環のための技術/Advanced materials recycling technologies(副 / Sub)革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion

キーワード / Keywords

イオン導電体


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

内村 祐

所属名 / Affiliation

自然科学研究機構分子科学研究所物質分子科学研究領域 分子機能研究部門 小林グループ

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

MS-210:オペランド多目的X線回析
MS-223:熱分析(固体、粉末)


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

我々はヒドリドを電荷担体とした新型デバイスの開発を検討しており、その電極候補であるヒドリド・電子混合導電体BaTiO3–xHxの直接成膜に挑戦した。スパッタリングの条件を最適化したところ、電子伝導性を示唆する黒色薄膜が得られた。本課題ではその膜圧分析をおこなった。

実験 / Experimental

スパッタリングのパラメータとして、基板の種類と基板加熱温度を最適化したところ、LSAT基板上に黒色の薄膜が得られた。本課題では成膜時間による膜圧の変化を明らかにするため、機器センター所有の段差計によって膜圧測定を実施した。

結果と考察 / Results and Discussion

Figure 1に膜圧測定結果を示す。成膜時間90minで200nm程度の膜が得られたことがわかった。過去の知見から、成膜時間と膜圧にはほぼ線形の相関が明らかとなっているため、今後はこの結果を基準とすることで、電極特性に最適な膜圧を見出すことができる。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations


Figure 1 薄膜の膜圧測定結果


その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)

内村佑, 博士論文「Study on Materials Processing for Barium Titanium Oxyhydride with Hydride Ion and Electron Mixed Conductivity」


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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