利用報告書 / User's Reports | ARIM Japan公式ホームページ

【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.07.08】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23UT1110

利用課題名 / Title

東京大学武田先端知ビルスーパークリーンルーム所有装置等の環境調査

利用した実施機関 / Support Institute

東京大学 / Tokyo Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用（ARIM事業参画者）/Internal Use (by ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

全反射蛍光X線分析(TXRF)、CR内汚染、ウエハ、微細加工プロセス,高品質プロセス材料/技術/ High quality process materials/technique

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

太田悦子

所属名 / Affiliation

東京大学

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

三田吉郎

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

UT-862：全反射蛍光X線分析装置TXRF-3760

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

[目的」東京大学ARIM微細加工部門武田先端知スーパークリーンルーム(SCR)内で利用者向けに頒布している4インチSiウエハについて、汚染状態を確認し、微細加工・デバイス試作に適切なウエハを提供する。
[実施内容]現在使用しているSiウエハについて、1ロット25枚の汚染状態を全反射蛍光X線(TXRF)測定を実施することにより解析した。また、別メーカーのウエハについても新規に購入し、比較測定を行った。

実験 / Experimental

[実験内容]測定に使用するウエハは、ウエハメーカーから購入後、SCR内にて開梱した。また、測定前の洗浄は実施しない。
SCR内で使用している4インチSiウエハについて、1ロット25枚のTXRF測定を実施した。また、比較のため、別メーカーの4インチSiウエハについてもTXRF測定を実施した。
TXRF実施条件については、図1に測定点、表1にND値、表2に測定詳細条件を示した。ND値とは、検出限界である。検出限界は、測定時間を長くすると限界値は低くなる。

結果と考察 / Results and Discussion

[結果]SCRで使用しているウエアの測定結果を図2に示す。特にTi による汚染が他ウエハに比べ顕著であったウエハNo.8の測定ピークについては図3に示す。
比較測定した別メーカーのウエハの結果は、図４、図５に示す。
[考察]現在頒布しているSiウエハは金属汚染が全25枚から強く検出され（図2）、また、汚染状況の顕著なウエハも存在していた。一方、比較した別メーカーのウエハでは、
ごくわずかな汚染が確認されたが（図４、図5)、その値は前者のウエハ汚染元素合計が約100個から約800個[E10atms/cm²]に比べ、Sを除くと５個以下[E10atms/cm²]と
非常に少ないことが判明した。