【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.03.28】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23TU0196
利用課題名 / Title
慣性センサーの開発
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device,膜加工・エッチング/ Film processing/etching
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
三宅 遼磨
所属名 / Affiliation
住友精密工業株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
菊田利行
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
MEMSデバイス開発において、装置利用により石英基板上に形成した銅めっきのシード層を除去することを目的とする。
実験 / Experimental
石英基板に銅の厚膜を形成する手段として、銅めっきを採用している。めっきのシード層はウェハ全面に形成されているが、不要箇所のシード層の除去が必要であるため、イオンミリングを行った。シード層の構成はCu/Ti=300/50nmである。エッチングの際、銅めっきが若干削れるが、めっき厚みはシード層と比べて非常に厚いため影響はない。幅40um程度の細かいパターンをエッチングする箇所があり、ステージにTiltが付いているとめっきによってシード層が遮蔽され除去できない懸念があるため、今回Tiltをつけずにイオンビームとウェハが対向するように設置した。エッチング条件は装置の標準的な条件(ビーム電圧: 600V, ビーム電流: 400mA, 加速電圧: 200V, 加速電流: 18mA, ニュートラライザ電流: 440mA, Arガス 6sccm)である。
結果と考察 / Results and Discussion
15分のエッチングにより幅100umのパターンは抜けきったが、幅40umのパターンは部分的にシード層が残っていた。30分エッチングを行うことにより幅40umのパターンも綺麗にエッチングされていることを確認した（図1）。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1．シード層除去後の外観写真
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件