【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.04.01】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23AT0380

利用課題名 / Title

磁性体デバイスの作成

利用した実施機関 / Support Institute

産業技術総合研究所 / AIST

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

スピントロニクスデバイス/ Spintronics device,光デバイス/ Optical Device,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation,スパッタリング/ Sputtering,光学顕微鏡/ Optical microscope

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

西川 大智

所属名 / Affiliation

慶應義塾大学理工学部物理学科

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

AT-023：電子ビーム真空蒸着装置
AT-025：スパッタ成膜装置(芝浦）

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

　スピントロニクスの分野では、ナノ磁性体のスピンダイナミクスの解明は重要である。そこで、圧電基板上にナノ磁性体を蒸着し、そのスピンダイナミクスを光学検出することを目的に、素子の作成を行っている。

実験 / Experimental

　デュアルコムファイバーレーザーによって光学励起されたスピンダイナミクスと、櫛形電極から印加した表面弾性波をカップリングさせてスピン渦度結合の定量評価を行う。そのために、基板からの反射光を低減し、信号のSN比を向上させるためにHfO3幕をスパッタリングした。
　電極の作成や、HfO3膜のスパッタリングには、産総研ナノプロセシング施設のAT-023、AT-025を用いる。

結果と考察 / Results and Discussion

　反射光の低減のためにLiNbO3基板上にHfO3膜を製膜した。今後櫛型電極の作成、Niナノ磁石の蒸着などを行い、測定に必要な磁性体サンプルを完成させて、スピン渦度結合の定量評価に取り掛かる予定である。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件