【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.03.22】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23AT0375
利用課題名 / Title
ＡＬＤ膜の評価
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
エレクトロデバイス/ Electronic device,ALD
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
吉嗣 晃治
所属名 / Affiliation
三菱電機株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
山崎 将嗣
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
プラズマ支援原子層堆積(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition, PEALD)法によって成膜したSiNx膜について光学特性を取得した。
実験 / Experimental
■利用した主な装置
【NPF031】原子層堆積装置_1[FlexAL]
■実験方法
PEALD法によってSi基板上にSiNx膜を成膜した。原料及びガスに3DMAS、N2、Arを用いた。
成膜前後のin-situ分光エリプソ評価より膜厚、屈折率を求めた。
結果と考察 / Results and Discussion
in-situ分光エリプソで得られた成膜直後のψ-Δ曲線とフィッティングカーブをFig.1に示す。成膜開始前の測定データをマテリアルデータとして取り込み、900cycles後のデータを単層モデルでフィッティングした。その結果、膜厚14.59nm、632.8nmにおける屈折率1.97が得られた。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 1 In-situ spectroscopic ellipsometry data obtained after ALD-SiNx growth on Si substrate.
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
■謝辞
ALD成膜をご担当いただいた山崎将嗣様をはじめ、産業技術総合研究所ナノプロセシング施設の皆様に深く感謝します。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件