【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.03.22】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23AT0363
利用課題名 / Title
三次元積層実装に向けたTSV形成プロセスの高度化1
利用した実施機関 / Support Institute
産業技術総合研究所 / AIST
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
TSV、Deep Etching,エレクトロデバイス/ Electronic device,光学顕微鏡/ Optical microscope,光リソグラフィ/ Photolithgraphy,先端半導体（超高集積回路）/ Ascanced Semiconductor (Very Large Scale Integration)
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
Aoyagi Masahiro
所属名 / Affiliation
熊本大学半導体・デジタル研究教育機構半導体部門
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
増田 賢一
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術補助/Technical Assistance（副 / Sub）,技術代行/Technology Substitution
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
半導体集積回路デバイスを三次元的（垂直方向に縦積み）に積層して実装する三次元積層実装に関して、デバイスに対して垂直方向に貫通電極を形成するTSV（Through-Si-Via）形成プロセスの高度化技術について、高アスペクト深堀エッチング加工、孔側壁の形状・表面制御、側壁絶縁層形成、側壁バリア層形成、側壁シード層形成など基礎的研究開発を実施する。
実験 / Experimental
TSV形成プロセスにおけるTSV深堀エッチングを実施するために必要なリソグラフィプロセスについて、i線ステッパ―により5μｍオーダーの孔形状レジストパターン形成について、10μmオーダー厚膜i線フォトレジスト（PMER P-CY1000)を用いて、4インチSiウエハに対して、レジストパターン形成実験を実施した。
結果と考察 / Results and Discussion
露光量とフォーカスオフセットを変化させて、10μｍ厚および15μm厚のレジストパターン形状の断面をSEMにより観察した。露光量により、穴径が変化し、オフセット量により、孔断面の形状が逆テーパーからテーパーに変化することを確認した。また、垂直孔形状の最適条件を求めることができた。SEM観察は、熊本高専と連携して実施した。次年度にDeep RIE装置を用いて、ボッシュ法によりTSV孔加工を実施する予定である。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件