【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.04.03】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23AT0112

利用課題名 / Title

ALDを用いたナノインプリント用のモールド作製

利用した実施機関 / Support Institute

産業技術総合研究所 / AIST

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

ALD,成形/ Molding,リソグラフィ/ Lithography,膜加工・エッチング/ Film processing/etching,高品質プロセス材料/技術/ High quality process materials/technique,MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device,エレクトロデバイス/ Electronic device

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

鈴木 健太

所属名 / Affiliation

産業技術総合研究所

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

山崎 将嗣

利用形態 / Support Type

（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

AT-099：サムコ原子層堆積装置_2[AD-100LP]

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

本研究では原子層堆積（ALD）を用いた、微細なナノインプリント（NIL）用のモールド作製プロセスを構築することを目的としている。

実験 / Experimental

ALDを使用したモールド作製プロセスの構築として、Self Aligned Double Patterning（SADP）の検討を行った。SADPのマンドレルパターンに対してSiO₂のALD膜を成膜した。SiO₂は【NPF099】サムコ原子層堆積装置_2[AD-100LP]を利用して、50℃の条件で18nmを目標に成膜した。成膜したサンプルを断面SEM観察した。

結果と考察 / Results and Discussion

図１はHP45nmのスピンオンカーボンをマンドレルとして、SiO₂をALDしたパターンのSEM画像を示している。目標の膜厚18nmのSiO₂の膜がレジストパターンの表面に均一な厚さで成膜されていることが確認できた。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

図1 HP45nmLSパターンに対するALD後のSEM画像

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件