【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.06.29】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23UT0364
利用課題名 / Title
ヘテロナノ材料の創成とデバイス応用
利用した実施機関 / Support Institute
東京大学 / Tokyo Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
内部利用（ARIM事業参画者以外）/Internal Use (by non ARIM members)
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion（副 / Sub）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed
キーワード / Keywords
電子顕微鏡/ Electronic microscope,太陽電池/ Solar cell,熱電材料/ Thermoelectric material,ワイドギャップ半導体/ Wide gap semiconductor,高品質プロセス材料/技術/ High quality process materials/technique,MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device,エレクトロデバイス/ Electronic device,スピントロニクスデバイス/ Spintronics device
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
千足 昇平
所属名 / Affiliation
東京大学 大学院工学系研究科
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
h-BNの同定がしたく，カソードルミネッセンスの測定を行った．h-BN特有のピークは得られなかった．
実験 / Experimental
sapphire基板とh-BN/sapphireに対してカソードルミネッセンスの測定を行った．
結果と考察 / Results and Discussion
325 nm 付近に大きなピークが現れた．基板だけで測定しても同じ位置にピークが現れたことから，325 nm 付近のピークは基板として用いたサファイアのピークだと思われる．他の位置にはピークは現れず．h-ＢＮの同定はできなかった．
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
sapphire基板，BN/sapphire のCL測定結果
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
- 2023.05.25 *西村 帆貴，日下部 健太，金田 遼太郎，大塚 慶吾，井ノ上 泰輝，丸山 茂夫，千足 昇平, (D121) "無触媒CVDによるグラフェン・h-BN構造制御合成．"第60回日本伝熱シンポジウム (福岡国際会議場，福岡), oral
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件