【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.07.04】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23TT0023
利用課題名 / Title
フォトレジスト材の検討
利用した実施機関 / Support Institute
豊田工業大学 / Toyota Tech.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
立体リソグラフィ,MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device,光リソグラフィ/ Photolithgraphy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
志村 英一
所属名 / Affiliation
東京応化工業株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
佐々木実
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術相談/Technical Consultation（副 / Sub）,技術代行/Technology Substitution
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
TT-006：マスクアライナ装置
TT-015：デジタルマイクロスコープ群
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
PN-0379Dポジ型レジストの立体リソグラフィ適応性を検証した。PN-0379Dの元々の用途はターゲット膜厚5-15µmと比較的厚い。柔らかめの材料で曲面貼付け時のひび割れ回避が、更に膜厚を薄くすれば解像度が期待できる。立体リソグラフィのプロセス中で接する、水溶性ポリマーPVAとレジスト材が、副次的な反応を生じてパターニング特性が妨げられないか、検証実験を平面基板にて行った。
実験 / Experimental
Fig.1は模式図である。2インチ基板の右側に、防塵紙を中に置いて（絆創膏のガーゼに当たる配置）フッ素樹脂粘着テープを貼ることでカバーした。温度など全く同じ処理を行ったウェハ上に、レジスト膜とPVAが接する領域と、接しない領域を作った。2インチSi基板上にPN-0379Dレジスト（PN-00379D, 250cP液50.6gに、MEシンナー49.4ｇを混ぜて20wt%液に希釈）を、2000rpmにてスピン成膜した。ホットプレート80℃で2min乾燥した。複数の線幅からなる L/Sをパターニングし、潜像を形成した。ウェハ片側にフッ素樹脂粘着テープを貼り、アイセロ社10wt%PVA液を3000rpm成膜後、ホットプレート70℃で5min乾燥した。フッ素樹脂粘着テープを剥がし、現像結果を観察した。
結果と考察 / Results and Discussion
ウェハAとFのパターニング結果を以下の名前の画像と共に示す。Fig.2(a): PVAをレジスト上に成膜。露光量600mJ/cm2。 基板片側に貼ったテープ縁の跡が写真の右縦線である。Fig.2(b): PVAは接せずテープで保護。露光量600mJ/cm2。基板片側に貼ったテープ縁の跡が写真の左縦線である。Fig.3(a): PVAをレジスト上に成膜。露光量1000mJ/cm2。 基板片側に貼ったテープ縁の跡が写真の右縦線である。Fig.3(b): PVAは接せずテープで保護。露光量1000mJ/cm2。基板片側に貼ったテープ縁の跡が写真の左縦線である。Fig.4: 参照用で、レジスト成膜後そのまま露光量600mJ/cm2にて処理。写真右のレジスト膜は、遮蔽板の影になった領域。PVAが接したA-1とE-1は、F-1と比べて遜色無い。PVAがPN-0379Dレジストのパターニング特性を妨げることは無いと判断される。なお、PVAが接しなかったA-2に、ヒトデ形針状パターンが現れた。詳細は不明であるが、テープの粘着剤や、貼付け時に加えた力により、膜変化が生じて、露光で局所的に影になる影響を受けたと考えられる。A-2はレジスト膜が無くなるべき領域に、ヒトデ形針状パターンがあり、全体的に露光不足の傾向がある。E-2露光量が多くなることで、パターン抜けしている。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig.1 模式図
Fig.2(a) PVAと接した領域。露光量600mJ/cm2。
Fig.2(b) PVAが接しないでカバーされた領域。露光量600mJ/cm2。
Fig.3(a) PVAと接した領域。露光量1000mJ/cm2。
Fig.3(b)PVAが接しないでカバーされた領域。露光量1000mJ/cm2。
Fig.4 参照用。レジスト塗布後そのまま露光600mJ/cm2。
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件