【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.06.25】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23TT0016
利用課題名 / Title
ワイドバンドギャップ半導体上の絶縁膜および電極形成
利用した実施機関 / Support Institute
豊田工業大学 / Toyota Tech.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion
キーワード / Keywords
ALD,センサ/ Sensor,フォトニクスデバイス/ Nanophotonics device,エレクトロデバイス/ Electronic device,スピントロニクスデバイス/ Spintronics device,光デバイス/ Optical Device,量子効果デバイス/ Quantum effect device,パワーエレクトロニクス/ Power electronics
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
朽木 克博
所属名 / Affiliation
株式会社豊田中央研究所
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
岩田直高,大下祥雄
利用形態 / Support Type
（主 / Main）共同研究/Joint Research（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
絶縁膜/半導体からなる構造を作製し、その発光特性を評価する。
実験 / Experimental
豊田工業大学のALDを用いて半導体上に絶縁膜を形成し、豊田中央研究所の共焦点顕微鏡で発光特性を評価した。
結果と考察 / Results and Discussion
波長532 nmの励起光レーザと600 nmのロングパスフィルタを用いて共焦点発光マッピングを実施した結果を図1に示した。最大200 kHzまでの範囲で、絶縁膜/面の欠陥に起因した発光中心が高密度で分布していることを確認した。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1 共焦点発光マップ
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件