【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.06.03】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23WS0334
利用課題名 / Title
低誘電材料の評価基板作製
利用した実施機関 / Support Institute
早稲田大学 / Waseda Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device,光リソグラフィ/ Photolithgraphy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
藤田 賢治
所属名 / Affiliation
AGC株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
柏木 誠
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
L/S＝9/12, 13/18, 18/24umのテストパターンにて矩形形状の溝を形成することを目的とし、DEEP-RIE装置を適用する。この溝形状のパターンは樹脂材料の特性評価に用いる。所定のL/Sのピッチで形成されていること、溝の形状が矩形となっていることを評価項目とする。
実験 / Experimental
Si基板上にL/S＝9/12, 13/18, 18/24umのテストパターンを用いOFPRにより約2umのレジストパターン形成した基板を用意した。この基板に対し、レシピNo.4のレシピをNo.34にコピーした上でサイクル数を10としてBosch法による溝形成加工を実施した。
結果と考察 / Results and Discussion
図に示すように、溝の形状としてはおよそ矩形形状となっていたが、深さとして目標10um程度に対して3-4um程度という結果であった。上記レシピのサイクル数を増やすことで深さの調整ができるため、次回以降で調整を行なう。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
L/S＝9/12um 断面
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
DEEP-RIE装置のオペトレは柏木さんに実施いただきました。おかげさまでオペレーション自体はスムーズに理解することができました。この場をお借りして感謝申し上げます。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件