【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.03.25】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23KT1232

利用課題名 / Title

迂回処理ルート確立

利用した実施機関 / Support Institute

京都大学 / Kyoto Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

自社装置故障,リソグラフィ/ Lithography,膜加工・エッチング/ Film processing/etching

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

山口 大五郎

所属名 / Affiliation

株式会社 ミライズテクノロジーズ

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

堀下賢人

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

諌早信明

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

KT-119：両面マスク露光&ボンドアライメント装置
KT-234：深堀りドライエッチング装置（１）

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

自社設備故障時の試作停滞リスク低減を目的に、社外設備の活用を検討している。自社の両面アライナ（メーカ：EVG、型式：EVG6200）とディープトレンチエッチャ(メーカ：SPPテクノロジーズ、型式：APX-150D-PD-G4)を京大ナノハブ設備と比較評価し、判定基準を満足できるか調査する。

実験 / Experimental

各設備毎に設けた判定基準を満足できるか確認する。
① 両面アライナの評価項目、判定基準
・線幅:930±20μｍ
・テーパ角:85°～90°
・アライメント精度:0±5μm
② ディープトレンチの評価項目、判定基準
・トレンチ深さ：Si ≧625μmのエッチングが出来ること
・レジスト剥離：残渣なく剥離出来ること
・残膜：レジスト=≧1μm  TEOS=≧1μm であること
・テーパ角：90±2°であること
・スキャロップ深さ：90±45nmであること

結果と考察 / Results and Discussion

両面アライナ、ディープトレンチエッチャ共に条件調整により全評価項目、判定基準を満足できた。以上の結果から、自社設備が故障し、復旧に時間を要する（目安：1W以上）際の迂回処理ルートとして活用させて頂くことが可能と判断した。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件