【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.06.26】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23TT0002
利用課題名 / Title
半導体型CNTを使用したデバイス作成
利用した実施機関 / Support Institute
豊田工業大学 / Toyota Tech.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials
キーワード / Keywords
エレクトロデバイス/ Electronic device
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
橋本 悟
所属名 / Affiliation
株式会社名城ナノカーボン
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
吉村雅満
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
TT-019：ナノ物性測定用プローブ顕微鏡システム
TT-020：ラマン分光装置
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
半導体型CNTは半導体デバイス材料として、例えば印刷方式による製造など、従来の半導体プロセスとは異なる製造方法による、より省コストな半導体デバイスの可能性を秘めた素材である。弊社ではバルク状態のCNTから半導体型CNTのみを抽出する技術を有しており、この技術を使用して得られた半導体型CNTを用いて半導体デバイス、具体的には電界効果型トランジスタ（FET）の製造技術の開発を行う。
実験 / Experimental
FETの製造プロセスは、主に塗布により行う。電極をパターニングした基板に、ソース電極とドレイン電極の間にCNT分散液を塗布し、ソースドレイン間をCNTで架橋する。このときCNTは網目状のネットワーク構造を構築していることが理想であるため、AFMを用いて電極間を観察し、塗布したCNTがどのような構造を有しているかを調べた。
結果と考察 / Results and Discussion
図１に示すように基板に塗布したCNTが網目状にネットワーク構造を有していることが確認できた。また、図２に示すように、AFMで測定された高さは、CNTの中心直径である1.3nmに近く、CNTが重なっていると思われる高い箇所で2〜3nmであることから、CNTの単層のネットワークとなっていることも確認できた。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図１ AFM像
図2 AFMで測定した高さ
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件