【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.05.17】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23TU0135
利用課題名 / Title
3D ICプロセス開発
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学 / Tohoku Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
3次元IC製造プロセス, Through hole silicon via, 3次元システムオンチップ,集束イオンビーム/ Focused ion beam
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
佐藤 仁
所属名 / Affiliation
東北マイクロテック株式会社 名取事業所
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
千葉耕治
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
兒玉裕美子
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
3D ICのプロセス開発に辺りThrough-silicon via（TSV）を作成し、その出来栄え評価を行うために、集束イオンビーム加工装置でTSVの断面加工を行った。
実験 / Experimental
様々なプロセスのTSVを試作し、断面評価を行いTSV作成プロセスの検討を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
集束イオンビーム加工装置（Versa3D）を用いてTSVの断面加工を行い加工断面をSEM/EDXで詳細な元素分析評価を行う事により、様々なプロセス条件で作成したTSVの出来栄え評価を行うことが出来、TSV作成プロセス条件の改善を行う事が出来た。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件