利用報告書 / User's Reports


【公開日:2024.07.25】【最終更新日:2024.05.17】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23TU0132

利用課題名 / Title

BiTeSb電析膜中のイオウ定量分析

利用した実施機関 / Support Institute

東北大学 / Tohoku Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)計測・分析/Advanced Characterization(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed(副 / Sub)次世代ナノスケールマテリアル/Next-generation nanoscale materials

キーワード / Keywords

熱電材料, 電析膜, 平坦化膜,センサ/ Sensor


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

齋藤 美紀子

所属名 / Affiliation

早稲田大学 ナノ・ライフ創新研究機構

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type

(主 / Main)技術代行/Technology Substitution(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

TU-609:有機ハロゲン・硫黄分析装置


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

熱電変換素子は熱から電気変換が可能であることから様々な分野での応用が期待される。本検討は物質の温度差からの起電力によるゼーベック効果を用いたマイクロ素子形成に関する。微小センサやモバイル医療機器などへの応用が期待される。マイクロ素子作製はUVリソグラフィーを用い、パターンを形成し、電析法を用いて開孔部へp型とn型の膜形成を行い、素子化形成となる。埋め込んだ膜の平坦性が悪い場合、高い接触抵抗となり、損失につながる。課題はp型の膜の表面粗さを低減することである。

実験 / Experimental

硝酸Bi、酸化アンチモン、酸化テルル、酒石酸、硝酸の電析浴を用いた。膜形成は電気化学測定装置(HZ-7000)によりパルス電析法により行った。
図1に電析法の概念図を示す。作製したマイクロパターンのSEM像を図2に示す。円内にp型及びn型電析膜が交互に形成される。

結果と考察 / Results and Discussion

図3に有機ハロゲン・硫黄分析装置(Yanaco YHS-11)TU-609を用いて分析頂いた結果を示す。イオウを含む添加剤量に対する電析膜中のイオウの含有割合を示す。微量な添加量に対してもイオウの含有量が把握できることを確認できた。この結果や実際に埋め込みを行った膜の平坦性について検討を進めていく予定である。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations


図1 電析法の概念図



図2 パターンのSEM像



図3 膜中のイオウ測定結果


その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)

(参考文献)10.1016/j.electacta.2014.12.019


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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