【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.06.28】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23TU0126
利用課題名 / Title
圧電構造体開発
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学 / Tohoku Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
アクチュエーター/ Actuator,MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device,センサ/ Sensor,CVD
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
行藤 敏克
所属名 / Affiliation
株式会社シリコンセンシングプロダクツ
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
菊田 敏行
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
MEMSアクチュエーター開発で、メンブレン構造となるため350℃成膜で応力制御のSiN成膜が必要となった。住友精密 PECVD装置を使用して、成膜温度350℃、狙い応力+100 Mpaの条件出しを行った。
実験 / Experimental
表1の通り、SiN成膜レシピのSwitching mode HF: 13.56MHz/ LF: 380kHzの時間を変更し、応力確認を行った。
結果と考察 / Results and Discussion
表1の通り、条件①の「チャンバー圧力：130Pa、上部電極温度：250℃、下部電極温度：350℃、ガス流量［SiH4：5sccm・NH3：5sccm・N2：2000sccm］、上部HF30W・上部電極LF30W、Switching mode/ 13.56 MHz：5 sec、380 kHz：4sec」の条件で処理をすることにより、＋119Mpaの応力成膜が可能となった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
表1．PE-CVD成膜条件詳細及び条件出し結果
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件