【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.06.03】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23TU0080
利用課題名 / Title
シリコン基板に形成した多孔質層の孔側壁への成膜、不純物ドーピング
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学 / Tohoku Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
MEMS/NEMSデバイス/ MEMS/NEMS device,CVD,光リソグラフィ/ Photolithgraphy
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
萩原 洋右
所属名 / Affiliation
パナソニックインダストリー社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
角井 広明
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
戸津 健太郎,森山 雅昭,龍田 正隆,菊田 利行,庄司 征希,吉田 孝
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
TU-151：LPCVD
TU-051：ミカサ スピンコータ
TU-052：アクテス スピンコータ#1
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
シリコン基板に多孔質層を形成したデバイスを開発している。デバイス試作には、多孔質層への不純物ドーピング、多孔質層側壁への絶縁膜の形成、多孔質層への導体の埋めを行う必要がある。
これら３つの要素技術を確立し、デバイスを造出することを目的とする。
実験 / Experimental
1.多孔質層への不純物ドーピング
多孔質層を形成したシリコン基板にボロン固相拡散源を使って、ボロンをドーピングした。
2.多孔質層孔側壁への絶縁膜の形成
LP-CVDを用いて、孔側壁にSiN膜を成膜した。
3.多孔質層孔への導体の埋め込み
LP-CVDを用いて、多孔質層孔へドープドポリシリコンを埋め込んだ。
結果と考察 / Results and Discussion
実験に示した３つの要素工程を実施した。
不純粒トーピングについては、多孔質の孔底から基板の深さ方向にボロンがドーピングされていることをシリコン基板の抵抗値評価により確認できた。
孔側壁への絶縁膜形成については、孔底をSEM観察することにより（図1）、薄膜が形成されていることを確認することができた。また、多孔質層孔への導体埋め込みについては、孔断面のSEM観察によりポリシリコンが充填されていることを確認することができた。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1 多孔質層へのポリシリコン孔埋め観察結果
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：1件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件