【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.05.28】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23TU0077
利用課題名 / Title
シリコンウェーハの欠陥解析および元素分析
利用した実施機関 / Support Institute
東北大学 / Tohoku Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）計測・分析/Advanced Characterization
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
Siウェハ再生,電子顕微鏡/ Electronic microscope,先端半導体（超高集積回路）/ Advanced Semiconductor (Very Large Scale Integration)
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
柴山 哲也
所属名 / Affiliation
株式会社RSテクノロジーズ
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
弊社ではシリコンウェハの再生（リサイクル）事業を行っている。リサイクルの手法のひとつとして、シリコンウェハ上に成膜されている薄膜を、ウェットエッチングによって除去する方法がある。そのなかで、外観上は同じ膜種と判定したものについて、ウェットエッチングの可否に差が生じるという問題があった。この事象について、除去対象の薄膜をEDX元素分析し、素性を調査することは非常に有益となり、適切な膜除去条件を検討することが可能となる。今回、ウェットエッチングが困難であった、ある薄膜について元素分析を実施することで事前に想定していなかった元素が含まれていることが確認できた。 引き続き各種の欠陥の分析、発生原因の特定、対策を進めることで、シリコンウェハ再生の更なる技術向上、工程の最適化を進めていく。
実験 / Experimental
・利用した主な装置・・・熱電子SEM/EDX
・内容(1)
シリコンウェハ上の薄膜のSEM観察
・内容(2)
シリコンウェハ上の薄膜のEDXによる元素分析
結果と考察 / Results and Discussion
シリコンウェハ上の薄膜について、SEM観察およびEDXによる元素分析を実施した。EDX分析の結果、これまで弊社で把握できていなかった元素が検出され、再生プロセスの改善の手掛かりとして有益な情報が得られた。 シリコンウェハ上の薄膜中に、想定していたSi以外の元素が検出された（図1）。含有される元素を特定し、正しい情報を得ることで、工程の最適化に非常に効果があった。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1.シリコンウェーハ上の薄膜の元素分析結果
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件